Авторизация:
Логин:
Пароль:
  


АНОНС
Всё для будущих инженеров: сотрудничество "Уралмашзавода" и УГГУ
Уралмашзавод продолжает сотрудничество с одним из ведущих вузов региона – Уральским государственным горным университетом. При поддержке Газпромбанка и Уралмашзавода в УГГУ были...
ИТОГИ ТРЕТЬЕГО НАЦИОНАЛЬНОГО ГОРНОПРОМЫШЛЕННОГО ФОРУМА
НП "Горнопромышленники России" подвело итоги Третьего Национального горнопромышленного форума, который состостоялся 8 ноября 2017 года в Конгресс-центре Торгово-промышленной палаты Российской...
ГДЕ ПРОИЗВОДСТВО, ТАМ И НАУКА
На Ставровском карьере по добыче щебня, расположенном в Калужской области, планируется организовать работу научно-исследовательских коллективов. Руководство карьера стремится предложить им...



ОБЗОР
СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО ПРЕДПРИЯТИЯ В УСЛОВИЯХ КОНКУРЕНЦИИ
Рассмотрены проблемы развития российских металлургических предприятий, а также состояние сталелитейной промышленности в мире. Отмечается, что в условиях рынка и жесткой конкуренции...
МИРОВЫЕ ТЕНДЕНЦИИ К ПЕРЕХОДУ НА СЖИЖЕННЫЙ ГАЗ
Показано состояние в мире с производством и потреблением сжиженного газа в настоящее время. Приведена динамика изменения производства его объемов за последние годы. Перечислены...

ПОДРОБНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

 

ВЛИЯНИЕ НЕРАВНОМЕРНОГО ТРЕЩИНОВАТОГО СЛОЯ ПОВЕРХНОСТИ ОБРАБОТАННЫХ ПЛАСТИН ХРУПКИХ МАТЕРИАЛОВ НА КАЧЕСТВО ГОТОВЫХ ИЗДЕЛИЙ



Перспективными материалами для микроэлектроники, оптоэлектроники, СВЧ-техники и других ведущих технических направлений являются арсенид галлия (GaAs), арсенид индия (InAs), антимонид галлия (GaSb) и антимонид индия (InSb). Для применения их в детекторах ионизирующего излучения, приборах оптоэлектроники: светодиодах, полупроводниковых лазерах, других высокотехнологичных областях науки и промышленности необходимо соответствие выходных данныхпластин требованиям международного стандарта SEMI по параметрам TTV, TIR, Bow, Warp. Рассмотрены способы обработки пластин, применяемое оборудование, технология односторонней шлифовки связанным алмазным абразивом на экспериментальной установке ЭМ-2060 производства АО «Планар», система управления установкой. Приведены результаты обработки пластин. Результаты шероховатости шлифованной пластины арсенида галлия 100 мм снятые на профилометре Alpha-Step® D-500, KLA Tencor, США. Измеренная шероховатость: Ra 16 нм, Rz 76 нм. Также определены задачи, решение которых позволит достичь необходимых параметров и качества обработанных пластин.



Номер: 8
Год: 2018
УДК: 621.921:658.562
DOI: 10.25018/0236-1493-2018-8-0-26-35
Авторы: Бирюков Е. Н., Хохлов А. И., Теплова Т. Б., Лапшин И. В.

Информация об авторах:
Бирюков Евгений Николаевич — генеральный директор,
ООО «Фианит-Интэкс»,
Хохлов Анатолий Ильич (1) — кандидат технических наук,
ведущий научный сотрудник, e-mail: yaniki-220@mail.ru,
Теплова Татьяна Борисовна — доктор технических наук,
профессор, e-mail: teplova_t@mail.ru,
Лапшин Игорь Владимирович (1) — главный специалист,
e-mail: lapshini@ya.ru,
1) Госкорпорация «Росатом», АО «Государственный научно-исследовательский
и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет».

Ключевые слова:
Арсенид галлия (GaAs), арсенид индия (InAs), антимонид галлия (GaSb), антимонид индия (InSb), микроэлектроника, оптоэлектроника, поверхностная обработка, пластины, шероховатость.

Библиографический список:

1. Гольдаде В. А. Материалы электронной техники: тексты лекций. — Гомель: Гомельский гос. ун-т им. Ф. Скорины, 2015.


2. АО «Гиредмет» арсенид галлия http://giredmet.ru/ru/products/GaAs/


3. АО «Гиредмет» арсенид индия http://giredmet.ru/ru/products/InAs/


4. АО «Гиредмет» антимонид галлия http://giredmet.ru/ru/products/GaSb/


5. АО «Гиредмет» антимонид индия http://giredmet.ru/ru/products/InSb/


6. ГНПО «Планар» Оборудование утонения полупроводниковых пластин http://www.planar.by/ru/production/so/page02/6926/


7. KLA Tencor, Alpha-Step® D-500 https://www.kla-tencor.com/Surface-Profiling/alphastep-d-500.html


8. TAKATORI MWS45SN http://www.takatori-g.co.jp/english/products/products_mws/detail/mws-45sn.html


9. Гридин О. М., Теплова Т. Б. Прецизионная обработка поверхностного слоя твердых хрупких материалов в режиме квазипластичности. — М.: МГГУ, 2012. — 211 с.


10. Теплова Т. Б. Исследование возможности обработки хрупких твердых кристаллических материалов электронной техники в режиме квазипластичности для совершенствования качества обрабатываемой поверхности // Нано- и микросистемная техника. — 2008. — № 2. — С. 45—47.


11. Теплова Т. Б. Физико-технологические принципы получения нанометрового рельефа поверхности при обработке твердых хрупких материалов электронной техники // Нано-и микросистемная техника. — 2008. — № 7. — С. 33—37.


вернуться назад
Карта сайта